SHOTTKY BARRIER OPTICAL SPECTROMETER ON GRADED-GAP SEMICONDUCTORS
Ключевые слова:
полупроводниковый оптический спектрометр, спектрометрический эффект, варизонная m-s структура, m-s переход, варизонный слой Ga1−xAIxAs, барьерный контакт, нанослой золота, спектрометрический элемент, аппаратная функция, предельное спектральное разрешениеАннотация
Проанализирован и изучен экспериментально оптоспектрометрический эффект в варизонной m-sструктуре, в которой имеется изменение ширины запрещённой зоны Eg в плоскости m-s-перехода и в направлении, пеопендикулярном ей.
Обсуждается оптоспектрометрический эффект для случаев, когда световой поток направлен на m-sпереход через широкозонный полупроводник и показано, что зависимость фототока такой структуры от координаты светового потока воспроизводит спектральный состав этого потока.
На основе анализа были созданы спектрометрические элементы; они изготавливались химическим осаждением Au на поверхности варизонных кристаллов n-Ga1-xAlxAs, выращенных на подложках из n-GaP методом жидкостной эпитаксии. Барьерный контакт (m-s-переход) был расположен на косой поверхности варизонного кристалла Ga1-xAlxAs, а световой поток падал к m-s-переходу со стороны его широкозонной части через GaP.
Таким образом, создан иполупроводниковый оптический спектрометр, в котором спектрометрический элемент, изготовленный на основе варизонной Au-n-Ga1-xAlxAs/ n-GaP структуры, выполняет функции диспергирующего элемента, выходного коллиматора и приёмного элемента. Такое совмещение нескольких функций в одной варизонной m-s-структуре осуществлено впервые, причём этот элемент имеет крайне малые габариты и вес.
Рабочая спектральная область спектрометрического элемента 1,45-1,90 эВ, предельное спектральное разрешение 0,02-0,05 эВ.
Библиографические ссылки
Алфёров Ж.И. Физика и жизнь. М.: Наука, 2001. 288 с.
Пека Г.П., Коваленко В.Ф., Смоляр А.Н. Варизонные полупроводники / [под ред. Г.П. Пеки]. К.: Выща школа, 1989. 251 с.
Фотоэлектрический эффект в варизонных поверхностно-барьерных структурах / А.Беркелиев, Ю. А. Гольдберг, А.Н. Именков [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1978. –Т. 12 – Вып. 1. – С. 96 – 101.
Дифференциальный оптоспектрометрический эффект в варизонной m-sструктуре / А.Беркелиев, Ю. А. Гольдберг, Т.Н. Именков [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1976. – Т. 10. – Вып. 12. – С. 2352 – 2360.
Мелебаев Д. Спектрометрический элемент на основе варизонной m-s-структуры // Труды IX Междунар. научно-практ. конф. «Современные информационные и электронные технологии». Одесса, 2008. С. 165.
Оптоспектрометрический эффект в полупроводниках / В.В. Гутов, Т.Н. Данилова, А.Н.
Именков [и др.]. // Физика и техника полупроводников. – 1975. – Т. 9. – Вып. 1. – С. 52 – 57. [7]. Мелебаев Д. Фотоэлектрические явления в структурах Au-Gal-xAlxAs с разнодолинным Г-Хпереходом // Материалы V Междунар. науч. конф. «Физико-химические основы формирования и модификации микро - и наноструктур». Харьков, 2011. Т. 2.С. 487-493
Мелебаев Д. Полупроводниковый оптический спектрометр с Барьером Шоттки. Материалы I международной научно-практической конференции “Научный поиск в современном мире”./ “Апробация” – Москва: издательство Перо, 2012,-С.7-20
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NoDerivatives» («Атрибуция — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.
CC BY-ND
Эта лицензия позволяет свободно распространять произведение, как на коммерческой, так некоммерческой основе, при этом работа должна оставаться неизменной и обязательно должно указываться авторство.
