ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ФОСФИДА ГАЛЛИЯ И ФОТОДИОДЫ ШОТТКИ НА ЕГО ОСНОВЕ
DOI:
https://doi.org/10.31618/nas.2413-5291.2021.2.65.393Ключевые слова:
зонная структура, поглощение, фосфид галлия, p-n-структура, фоточувствительность, m-s-структура, ширина запрещённой зоны, высота барьера, золото.Аннотация
В данной работе рассмотрены оптические и люминесцентные свойства фосфида галлия (GaP) и спектральные характеристики GaP p-n, m-s-структур для изучения энергетической зонной структуры GaP. Исходя из литературных данных построена зависимость коэффициента поглощения вблизи и выше края фундаментального поглощения от энергии фотона hν=2-6 эВ в GaP (300 К) для обсуждения полученных экспериментальных результатов.
Приводятся результаты изучения спектров фоточувствительности барьеров Шоттки Au-n-GaP, Au-p-GaP, изготовленных методом химического осаждения нанослоя Au (~15 нм) на поверхности GaP.
Сопоставлением спектра поглощения GaP со спектрами фототока Au-n-GaP и Au-p-GaP структур в видимой и ультрафиолетовой (УФ) области спектра установлено, что обычно фототок (
Библиографические ссылки
Alferov Zh.I. Physics and Life.-2nd ed., Add. -M .: SPb: Nauka, 2001.-288 p.
Blank T.V., Goldberg Yu.A. Semiconductor photoconverters for the ultraviolet region of the spectrum // FTP. - 2003. - T.37. - Issue 9. - S. 1025-1055.
Galchina N.A., Kogan L.M., Soshchin N.P., Shirokov S.S., Yunovich A.E. Electroluminescence spectra of ultraviolet LEDs based on p-n-heterostructures InGaN / AlGaN / GaN coated with phosphors // FTP. - 2007. - T.41. - Issue 9. - S.1143-1148.
Tut Turgut, Gokkavas Mutlu, Inal Ayse, Ozbay Ekmel. AlxGa1-xN-based avalanche photodiodes with high reproducible avalanche gain // Appl. Phys. Lett. - 2007. - V.90. - No.16. - P. 16506 / 1-16506 / 3.4.
Schubert F. LEDs: Per. from English / Ed. A.E. Yunovich. - 2nd ed. - M.: Fizmatlit, 2008 .-- 496 p.
Zhilyaev Yu.V., Rodin S.N. Growth of Gallium Nitride Layers by Chloride Gas-Phase Epitaxy at a Low Source Temperature // Technical Physics Letters. - 2010. - T.36. - Issue 9. - S.11-16.
Ludin V.V., Nikolaev, Sakharov A.V., Brunkov P.N., Zavarin E.E., Tsatsulnikov A.F. Epitaxy of AlN layers with a high growth rate in a planetary MOC-hydride reactor // Technical Physics Letters. - 2010. - T.36. - Issue 24. - S. 33-39.
Sorokin L.M., Kalmykov A.E., Bessolov V.N., Feoktistov N.A., Osipov A.V., Kukushkin S.A., Veselov N.V. Structural characterization of GaN epitaxial layers on silicon: the effect of buffer layers // Technical Physics Letters. - 2011. - T. 37. - Issue 7. - P.72-79.
Buniatyan V.V., Aroutiounian V.M. Wide gap semiconductor microwave devices // J. Phys. D. - 2007. - V.40. - No. 20. - P.6355-6385.
Melebaev D. Photodetectors of ultraviolet radiation based on Au-oxide-n-GaP nanostructures. Trudy Int. scientific and technical conf. "Nanotechnology functional materials "(NFM'10). - St. Petersburg: Ed. Polytechnic University. - 2010. - S. 114-115.
Grachev V.M., Evstropov V.V., Eliseeva N.M. et al. Highly efficient diodes-sources of red radiation from GaP // FTP. - 1968. - T.2. - Issue 7. - S.1055.
Lorenz M.R., Pilkuhn M. Preparation and Properties of Solution Grown Epitaxial p-n – junctions in GaP // J. Appl. Phys. - 1966. - Vol. 37 .-- No.11. - P.4094-4102.
Baransky P.I., Belyaev A.E., Gorodnichy O.P., Makarenko V.G. Influence of ytterbium on the electrophysical properties of epitaxial layers of n-GaP // Phys. - 1988. - T.22. - Issue 1. - S.158-161.
Zhilyaev Yu.V., Panyutin E.A., Fedorov L.M. High-temperature dinistra based on gallium phosphide // Technical Physics Letters. - 2009. - T. 35. - Issue 17. - S.50-57.
Gavrilenko V.I., Grekhov A.M., Korbutyak D.V., Litovchenko V.G. Optical properties of semiconductors: A Handbook. - Kiev: "Naukova Dumka", 1987. - 607s.
Gribkovsky V.P. Theory of absorption and emission of light in semiconductors. - Minsk: "Science and Technology", 1975. - 464 p.
Lebedev A.I. Physics of semiconductor devices. - Moscow: Fizmatlit, 2008 .-- 488 p.
Oura K., Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V., Katayama M. Introduction to Surface Physics -Moscow: Nauka, 2006 .-- 490 p.
Zegrya G.G., Perel V.I. Fundamentals of Semiconductor Physics. - M .: Fizmatlit, 2009 .-- 336 p.
Aspnes D.E., Studna A.A. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. - 1983. -Vol.27. - No.2. - P.985-1009.
Cohen M.L. and Bergstresser T.K. Band structures and Pseudopotential Form Factors for Fourteen Semiconductors of the Diamond and Zincblende Structures // Phys. Rev. - 1966. - Vol. 141. - No.2. - P.789-796.
Dean P. J., Faulkner R. A., Kimura S. Optical Properties of the Donor Tin in Gallium Phosphide // Phys. Rev. B. - 1970. - Vol.2.-No.10.-P.4062-4076.
Onton A., Morgan T.N. Effect of Uniaxial Stress on Excitons Bound to Bismuth in GaP // Phys. Rev. B. - 1970. - Vol.1. - No.6. - P.2592-2604.
Panish M.B., Casey H.C., Jr. Temperature Dependence of the Energy Gap in GaAs and GaP // J. Appl. Phys. - 1969.-Vol.40.-No.1.-P.163-167.
Phillips J.C. Dielectric Theory of Impurity Binding Energies. II. Donor and Isoelectronic Impurities in GaP // Phys. Rev. B. - 1970. - Vol.1. - No.4. - P.1545-1548.
Spitzer W.G., Gershenzon M., Frosch C.J., Gibbs D.F. // J. Phys. Chem. Sol. - 1959. - Vol.11. - P.339.
Spitzer W.G., Mead C.A. Barrier Height Studies on Metal-Semiconductor Systems // J. Appl. Phys. - 1963. - Vol. 34 .-- No.10. - P.3061-3069.
Spitzer W.G., Mead C.A. Conduction Band Minima of Ga (As1-xPx) // Phys. Rev. - 1964. - Vol. 133. - No. 3A. - P. A872-A875.
Zallen R., Paul W. Band structure of Gallium Phosphide from Optical Experiments at High Pressure // Phys. Rev. - 1964. - Vol. 134. - No.6A. - P. A1628– A1641.
Yunovich A.E. Radiative recombination and optical properties of gallium phosphide // Radiative recombination in semiconductors. - Moscow: Nauka, 1972. - pp. 224–304.
Spicer W.E., Eden R.K. // Proceedings of the IX Int. conf. by physical half-way. - Vol. 1. - Moscow. - 1968. - P.68. 31a. Morgan T.N., Welber B., Bhargava R.N. Optical properties of Cd-O and Zn-O complexes in GaP // Phys. Rev. - 1968.
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NoDerivatives» («Атрибуция — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.
CC BY-ND
Эта лицензия позволяет свободно распространять произведение, как на коммерческой, так некоммерческой основе, при этом работа должна оставаться неизменной и обязательно должно указываться авторство.
